三极管放大电路与场效应管放大电路性能比较?
1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
2．场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。
3．场效应管栅极几乎不取电流（ig»0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。
5．场效应管在源极水与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。
6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开路电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
三极管放大电路与场效应管放大电路性能比较?
1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
2．场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。
3．场效应管栅极几乎不取电流（ig??0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。
5．场效应管在源极水与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。
6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开路电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
三极管放大电路与场效应管放大电路性能比较?
1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
2．场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。
3．场效应管栅极几乎不取电流（ig�0�30）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。
5．场效应管在源极水与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。
6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开路电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
电压放大倍数、输入电阻和输出电阻怎么算啊，帮忙做下这题
我不知道这位先生是如何实测电压放大倍数、输入电阻、输出电阻的。电压放大倍数其实要用示波器来测，如果用万用表是测不准的。用示波器测出来的电压放大倍数和理论值会很接近。测量输入电阻和输出电阻也不能直接用万用表测。需要在输入回路里串联一个与输入电阻相当的电阻作为信号源内阻，由分压来计算出输入电阻。输出电阻的测量方法类似电源内阻的测量，在输出空载和带负载的两种情况下分别测量输出电压，然后根据全电路欧姆定律求出输出电阻。以上所有的测量都要用示波器测量，否则都会测不准。
用场效应管3DJ6F做一个放大电路
比较专业，不是太懂，呵呵
结型场效应管3dj6f源漏最大电压20伏，最大源漏电流15毫安，最大源漏耗散功率100毫瓦，可以估算出静态输出电阻最小为400欧，但是栅源静态偏压无法估算，这属于管子的量子物理（器件）特性！！在没有这两个参数的情况下，实际结型场效应管的静态输出电阻与栅源静态负偏压比晶体三极管更容易测试计算得到！！
如何做 一个场效应管放大电路！
如图所试：这是一个用3DJ6结型场效应管制作的单管放大器，其中电路元件参数：C1=0.1微法（无极性电容），C2=10微法50伏电解电容，接D级一端为正极。CS=4.7微法50伏电解电容，接地端为负极。RG=2兆欧姆，RD=100K欧姆，RS=47K欧姆，RL=20-30K欧姆，电源电压ED=20伏静态工作点：因为UGS=-IDRS,所以在转移特性曲线上，源极负载线是通过原点，斜率为tga=-1/RS的一条直线。源极负载线与转移特性的交点Q就是场效应管的静态工作点。Q点参数：ID=0.05毫安，UGS=-0.25伏。电压放大倍数AU=-Rl`*gm3DJ6的gm=1豪伏/伏,RL`=RD//RL=20KAv=-1*20=20倍。
用场效应管3DJ6F做一个放大电路
一个射频（RF）放大器可以具有其最大功率传输的阻抗，音频和仪表放大器通常优化输入和输出阻抗，以使用最小的负载并获得最高的信号完整性。一个声称增益为20 dB的放大器可能具有10倍的电压增益和远超过20 dB（100功率比）的可用功率增益，但实际上可以提供一个低得多的功率增益，比如输入是一个600 Ω的麦克风，输出接在一个47 kΩ的功率放大器的输入端上。ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域。表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。扩展资料：在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动。从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流。使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。参考资料来源：百度百科-场效应管参考资料来源：百度百科-放大电路
场效应管放大电路的优缺点有哪些
场效应管放大电路的优点是：（1）输入电阻大。
用普通三极管做成放大电路，共射电路的输入电阻约几KΩ，（我们一般称之为10^3级），共集电极电路的输入电阻也只能做到几十K欧到一百多K欧（10^5级），而使用结型场效应管（JFET）就可做到输入电阻10^6级，使用MOS管能做到10^8级以上.
（2）温度稳定性好，由于场效应管里没有漂移电流，基本不受温度变化的影响。
缺点：（1）放大倍数小，一级放大只能做到几倍（可能不到10倍），（2）输入端由于静电感应容易产生击穿。
含有场效应管和三极管的组合例题的放大电路动态分析
(1）核实下，场效应管的参数有没有问题？不然算出的静态工作点位置不太适合放大。
运用的公式是;
Vgs=Vcc*RG1/(RG1+RG2)-IdRs=7.5-5.1kId
Id=gmVgs
以上两式子解出的Id不太合适，因为Uds太小了，因此建议减小Rg2。
如不考虑以上因素，第二级静态偏置；
Vb=15*20/80=3.75V
Ve=3.05V(Vbe取0.7V)
Ic≈Ie=3.05/1K=3.05mA
Vce=15-3.05*(1+3)=2.8V
（2）二级放大器，
第一级增益为；
Av1=-gm*Rd=2*10=20(暂不考虑第二级负载），输出电阻10K。
第二级增益为；
K闭合，Av2=-50*3K//3K/rbe=-75K/1K=-75，
输入电阻60K//20K//1K，约为1K吧。
这时总的放大倍数Av=Av1*Av2*1/(1+10)=20*75*1/11=136.4
[1/(1+10)]是考虑前级输出电压在后级分到的电压。弥补刚才没考虑后级负载的问题。后同。
K断开，Av2=-50*3K//3K/[rbe+(1+β)1K]=-75/52=-1.44
此时输入电阻60K//20K//52K=11.64K
这时总的电压增益Av=Av1*Av2*11.64/(11.64+10)=20*1.44*0.54=15.56
（3）总输入电阻Ri=47M+200K//200K=47.1M
输出电阻Ro=3K
(4)Vc电位约为9V，Vce=2.8V，输出电位向上（截止点）有6V的移动区间，而向下（饱和点）仅2.1V的移动区间，所以电路先出现饱和失真。不失真电压幅度为2.1V。（考虑饱和压降0.7V)
场效应管放大电路
不可以.场效应管允许通过的电流比晶体管要小很多,功率不大,不能用作功放管.就是晶体管也要接成互补或推挽结构才能用作功放管.
你也可以考虑用集成功率放大器,这个也不贵,而且性能好,电路更简单
AS6787说的:
可以,高极功放都是用功率场效应管,有电子管功放的效果
功率放大常用的是IGBT和VMOS,IGBT是场效应管和晶体管结合的另一种元件,和普通场效应管不同;而VMOS(常用于电力电子)的工艺也较特殊,虽都叫场效应管但都不是一般的场效应管,你从电子元件商店不好买到的
最好还是考虑集成器件,我做过音频,用TDA2131就可以满足一般的需求
