电磁炉功率管H20R1203用什么代换
H20R1203可以使用电磁炉IGBT管FGA25N120进行替换。IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。就后俩参数来讲，H20R1203优于FGA25N120。但差别不大。所以FGA25N120是正品的话，一般都可以代换H20R1203。FGA25N120为内带阻尼管的场效应管。一般IGBT有三个电极, 分别称为栅极G、集电极C及发射极E。扩展资料：在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。动态特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。参考资料来源：百度百科——IGBT
电磁炉功率管25N120和20R1203有什么区别，可以互相代替用吗？
电磁炉功率管25N120和20R1203虽然同属于大功率场效应管，但它们在极限电流和饱和压降等方面有所差异，具体如下：1、25N120各参数值极限电压：1200V极限电流：25A饱和压降：2.5V2、20R1203各参数值极限电压：1200V极限电流：20A饱和压降：1.48V两种功率管理论上是可以互相替换的，但在实际应用中，20R1203代换25N120时，经常会出现电磁炉加热慢，功率管自身发热严重的情况。所以，在条件允许的情况下，尽量使用同型号的功率管进行替换。
我的电磁炉是苏泊尔的，H20R1202坏了，能用FGA25N120代替吗？
格兰仕电磁炉里面的H20R1202坏了，能用FGA25N120代替，不需要改件的。
H20R1202与FGA25N120都是电磁炉经常使用的IGBT管。
H20R1202的主要参数是：最大连续电流Ic=20A，反向击穿电压BVceo=1200V，内含阻尼二极管。
FGA25N120的主要参数是：最大连续电流Ic=25A，反向击穿电压BVceo=1200V，内含阻尼二极管。
从两只管参数可以看出，FGA25N120是完全可以直接代换H20R1202的。
格兰仕电磁炉，H20R1202坏了，能用FGA25N120代替需要改件吗？
格兰仕电磁炉里面的H20R1202坏了，能用FGA25N120代替，不需要改件的。
H20R1202与FGA25N120都是电磁炉经常使用的IGBT管。
H20R1202的主要参数是：最大连续电流Ic=20A，反向击穿电压BVceo=1200V，内含阻尼二极管。
FGA25N120的主要参数是：最大连续电流Ic=25A，反向击穿电压BVceo=1200V，内含阻尼二极管。
从两只管参数可以看出，FGA25N120是完全可以直接代换H20R1202的。
H20R1202是什么管子？
H20R1202 绝缘栅双极场效应管作用：二极管不可控；晶闸管、门极可关断晶闸管属于半控器件；剩下的电力晶体管、电力场效应管、绝缘栅双极型晶体管属于全控器件。电力二极管属于单极型器件，电力晶体管属于双极型器件，电力场效应管、绝缘栅双极型晶体管属于复合型电力电子器件。在可控的器件中，绝缘栅双极型晶体管容量最大，电压驱动的是电力场效应管，属于电流驱动的是电力晶体管。
我的电磁炉H20R1202坏了，能用FGA25N120代替吗？
可以代用。1、因为FGA25N120内含阻尼二极管，在代换IGBT功率管时，最高耐压、最大电流符合要求时，内含阻尼二极管的IGBT管可以代换不含阻尼二极管的IGBT管。2、如果用不含阻尼二极管IGBT管代换含阻尼二极管的IGBT管时，应该在新换管的c、e极间加焊一只快恢复二极管。3、对于2000W以下的电磁炉可选用20A或者25A的IGBT管如20n120cnd或者K25T120型号的管子，对于功率大于2000W的应该选用最大电流40A的IGBT管，如G40N150D。总之管子的参数大一些电磁炉的安全系数相应高一些，故障也会低些。扩展资料：原理1、电磁炉的炉面是耐热陶瓷板，交变电流通过陶瓷板下方的线圈产生磁场，磁场内的磁力线穿过铁锅、不锈钢锅等底部时，产生涡流，令锅底迅速发热，达到加热食品的目的。2、灶台台面是一块高强度、耐冲击的陶瓷平板（结晶玻璃），台面下边装有高频感应加热线圈（即励磁线圈）、高频电力转换装置及相应的控制系统，台面的上面放有平底烹饪锅。3、其工作过程如下：电流电压经过整流器转换为直流电，又经高频电力转换装置使直流电变为超过音频的高频交流电，将高频交流电加在扁平空心螺旋状的感应加热线圈上。4、由此产生高频交变磁场，其磁力线穿透灶台的陶瓷台板而作用于金属锅。5、在烹饪锅体内因电磁感应就有强大的涡流产生，涡流克服锅体的内阻流动时完成电能向热能的转换，所产生的焦耳热就是烹调的热源。
电磁炉大功率的IGBT管H20R1202用什么其他型号可以代替
H20R1202功率管电流是20A、耐压1200V，用其它型号的IGBT管都可以代换；IGBT功率管损坏，都是击穿，测CE极电阻就可以了。IGBT管极间开路的很少见。 磁场从0.1MHz左右到300MHz左右的频率范围内，所产生的磁场，其磁场强度超过3毫高斯，即对人体有害，90MHz至300MHz的磁场伤害最大，而愈向上愈接近0.1MHz的磁场伤害愈小。到0.1MHz以下磁场的伤害问题，就更加微不足道了。当然在有害范围其强度在3毫高斯以下，一般而言被视为安全范围。扩展资料：单位换算：1MHz=1000KHZ=1000 000Hz ， 电磁加热机芯频率为：20~25KHz IEEE（国际电子电机工程协会）所定对的范围：磁场从0.1MHz左右到300MHz左右的频率范围内，所产生的磁场，其磁场强度超过3毫高斯，即对人体有害，90MHz 至300MHz的磁场伤害最大，而愈向上愈接近0.1MHz的磁场伤害愈小，到0.1MHz以下磁场的伤害问题，就更加微不足道了。参考资料来源：百度百科-大功率电磁炉
电磁炉中的IGBT，H20R1202和H20R1203的区别是什么？
电磁炉中的IGBT，H20R1202和H20R1203的区别是设计序号不同。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管。型号的前一组数字表示该IGBT的额定工作电流（A），如上述型号20表示额定工作电流为20A；后一组数字的前3位×10表示该IGBT的最大关断电压（V），如上述120表示最大关断电压为1200V；最后一位数字是设计序号。扩展资料：IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。
电磁炉大功率的IGBT管H20R1202用什么其他型号可以代替？
H20R1202功率管电流是20A、耐压1200V，用其它型号的IGBT管都可以代换；IGBT功率管损坏，都是击穿，测CE极电阻就可以了。IGBT管极间开路的很少见。 磁场从0.1MHz左右到300MHz左右的频率范围内，所产生的磁场，其磁场强度超过3毫高斯，即对人体有害，90MHz至300MHz的磁场伤害最大，而愈向上愈接近0.1MHz的磁场伤害愈小。到0.1MHz以下磁场的伤害问题，就更加微不足道了。当然在有害范围其强度在3毫高斯以下，一般而言被视为安全范围。扩展资料：单位换算：1MHz=1000KHZ=1000 000Hz ， 电磁加热机芯频率为：20~25KHz IEEE（国际电子电机工程协会）所定对的范围：磁场从0.1MHz左右到300MHz左右的频率范围内，所产生的磁场，其磁场强度超过3毫高斯，即对人体有害，90MHz 至300MHz的磁场伤害最大，而愈向上愈接近0.1MHz的磁场伤害愈小，到0.1MHz以下磁场的伤害问题，就更加微不足道了。参考资料来源：百度百科-大功率电磁炉
