光刻工艺的流程有哪些？
光刻工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。光刻是制作半导体器件和集成电路的关键工艺。自20世纪60年代以来，都是用带有图形的掩膜覆盖在被加工的半导体芯片表面，制作出半导体器件的不同工作区。随着集成电路所包含的器件越来越多，要求单个器件尺寸及其间隔越来越小，所以常以光刻所能分辨的最小线条宽度来标志集成电路的工艺水平。国际上较先进的集成电路生产线是1微米线，即光刻的分辨线宽为1微米。日本两家公司成功地应用加速器所产生的同步辐射X射线进行投影式光刻，制成了线宽为0.1微米的微细布线，使光刻技术达到新的水平。
光刻工艺的目的
该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上，也就是可以精确地控制形成图形的形状、大小，此外它可以同时在整个芯片表面产生外形轮廓。光刻工艺概述：下面以衬底上金属连接的刻蚀为例讲解光刻过程。首先，通过金属化过程，在硅衬底上布置一层仅数纳米厚的金属层。然后在这层金属上覆上一层光刻胶。这层光阻剂在曝光（一般是紫外线）后可以被特定溶液（显影液）溶解。使特定的光波穿过光掩膜照射在光刻胶上，可以对光刻胶进行选择性照射（曝光）。然后使用前面提到的显影液，溶解掉被照射的区域，这样，光掩模上的图形就呈现在光刻胶上。通常还将通过烘干措施，改善剩余部分光刻胶的一些性质。上述步骤完成后，就可以对衬底进行选择性的刻蚀或离子注入过程，未被溶解的光刻胶将保护衬底在这些过程中不被改变。刻蚀或离子注入完成后，将进行光刻的最后一步，即将光刻胶去除，以方便进行半导体器件制造的其他步骤。通常，半导体器件制造整个过程中，会进行很多次光刻流程。生产复杂集成电路的工艺过程中可能需要进行多达50步光刻，而生产薄膜所需的光刻次数会少一些。以上内容参考：百度百科-光刻工艺
光刻机是干什么用的
刻机是用来制造芯片的。光刻机又被称为掩膜对准曝光机，在芯片生产中用于光刻工艺，而光刻工艺又是生产流程中最关键的一步，所以光刻机又是芯片生产中不可缺少的设备。
光刻机是干什么用的
光刻机决定了芯片的精密尺寸，设计师设计好芯片线路，在通过光刻机将线路刻在芯片上，其尺度通常在微米级以上。
光刻机是芯片生产中最昂贵也是技术难度最大的设备，因为其决定了一块芯片的整体框架与功能。
其实生产高精度芯片并不难，只是生产速度太慢，而光刻机能快速生产高精度的芯片，所以很重要。
光刻机是干什么用的
光刻机就是用光来雕刻的机器，是用来实现光线侵蚀光刻胶的目的。所以说，光刻机就是把很大的电路图，通过透镜缩小到芯片那么大，然后用光线侵蚀掉光刻胶，达到自动形成电路的目的。光刻机是非常复杂的机械，目前最厉害的光刻机生产商就是荷兰的ASML，他们现在已经能够生产刻出5nm线路的光刻机了。光刻机的分类光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动。手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度不高。半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐。自动：指的是从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。
